STS20N3LLH6數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ VI FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 20A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1690pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 2.7W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |