STT4P3LLH6數據表
|
制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ H6 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 56mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 639pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.6W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-6 包裝/箱 SOT-23-6 |
