STW3N150數據表
|
制造商 STMicroelectronics 系列 PowerMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29.3nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 939pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 140W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 STMicroelectronics 系列 PowerMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29.3nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 939pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 140W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 STMicroelectronics 系列 PowerMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29.3nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 939pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 63W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOWATT-218FX 包裝/箱 ISOWATT218FX |
制造商 STMicroelectronics 系列 PowerMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29.3nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 939pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 140W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 H²PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
