SUD40N02-08-E3數據表





制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 40A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 600mV @ 250µA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2660pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 8.3W (Ta), 71W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252, (D-Pak) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |