SUD50N03-11-E3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 11mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 800mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1130pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 7.5W (Ta), 62.5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252, (D-Pak) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
