SUD50N10-18P-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8.2A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 18.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 75nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2600pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 3W (Ta), 136.4W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252, (D-Pak) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
