TC58CYG2S0HRAIG數據表
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制造商 Toshiba Memory America, Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND (SLC) 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 SPI 時鐘頻率 104MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 8-WSON (6x8) |
