TH58BVG2S3HTA00數據表
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制造商 Toshiba Memory America, Inc. 系列 Benand™ 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH 技術 FLASH - NAND (SLC) 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 25ns 訪問時間 25ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 供應商設備包裝 48-TSOP I |
