TIP112數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2.5V @ 8mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 2mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 1A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2.5V @ 8mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 2mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 1A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2.5V @ 8mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 2mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 1A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2.5V @ 8mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 2mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 1A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
