TPC8212-H(TE12LQ數據表
TPC8212-H(TE12LQ數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8212-H(TE12LQ,M
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 21mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 840pF @ 10V 功率-最大 450mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) |
