TPCA8105(TE12L數據表
TPCA8105(TE12L數據表
總頁數: 7
大小: 226.74 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號:
TPCA8105(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 33mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.2V @ 200µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 18nC @ 5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1600pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 1.6W (Ta), 20W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱 8-PowerVDFN |