TPCF8102(TE85L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCF8102(TE85L,F,M
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19nC @ 5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1550pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 700mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 VS-8 (2.9x1.5) 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
