TPCP8001-H(TE85LFM數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCP8001-H(TE85LFM
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 16mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 640pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta), 30W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PS-8 (2.9x2.4) 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
