TSM1N45DCS RLG數據表
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制造商 Taiwan Semiconductor Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 500mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.9V @ 250mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.5nC @ 10V Vgs（最大） ±50V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 185pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
