US5U29TR數據表





制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.1nC @ 5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 150pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗(最大值) 1W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TUMT5 包裝/箱 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |