US6M11TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V, 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.5A, 1.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 110pF @ 10V 功率-最大 1W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝 TUMT6 |
