US6T9TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 350mV @ 25mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 270 @ 100mA, 2V 功率-最大 400mW 頻率-過渡 320MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 UMT6 |
