VB20120SG-E3/8W數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 120V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.33V @ 20A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 250µA @ 120V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 120V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.33V @ 20A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 250µA @ 120V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 供應商設備包裝 TO-262AA 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 120V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.33V @ 20A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 250µA @ 120V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220AB 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 120V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.33V @ 20A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 250µA @ 120V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 120V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.33V @ 20A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 250µA @ 120V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供應商設備包裝 ITO-220AB 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
