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VB30100SG-E3/8W數據表

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VB30100SG-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

VB30100SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

VI30100SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供應商設備包裝

TO-262AA

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

V30100SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

VF30100SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AB

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C