VP1008B數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 790mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 150pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 6.25W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 880mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 150pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 6.25W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 880mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 150pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 6.25W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 880mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 150pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 6.25W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
