VS-100MT060WDF數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-100MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 - 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 121A 功率-最大 462W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.29V @ 15V, 60A 當前-集電極截止(最大值) 100µA 輸入電容(Cies)@ Vce 9.5nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 16-MTP Module 供應商設備包裝 MTP |