VS-20MT120UFAPBF數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-20MT120UFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Full Bridge Inverter 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 20A 功率-最大 240W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 4.66V @ 15V, 40A 當前-集電極截止(最大值) 250µA 輸入電容(Cies)@ Vce 3.79nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 16-MTP Module 供應商設備包裝 MTP |