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VS-20MT120UFAPBF數據表

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-20MT120UFAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

240W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.66V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.79nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

16-MTP Module

供應商設備包裝

MTP