VS-CPV362M4FPBF數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 8.8A 功率-最大 23W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.7V @ 15V, 4.8A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 0.34nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 7.2A 功率-最大 23W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.95V @ 15V, 7.2A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 0.53nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 5.7A 功率-最大 23W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.93V @ 15V, 3A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 0.45nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 Three Phase Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 8.8A 功率-最大 23W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.66V @ 15V, 8.8A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 0.34nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |
