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VS-CPV363M4UPBF數據表

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

功率-最大

36W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 6.8A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

19-SIP (13 Leads), IMS-2

供應商設備包裝

IMS-2