VS-CPV364M4UPBF數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-CPV364M4UPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 - 配置 - 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 20A 功率-最大 63W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.1V @ 15V, 10A 當前-集電極截止(最大值) 250µA 輸入電容(Cies)@ Vce 2.1nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 19-SIP (13 Leads), IMS-2 供應商設備包裝 IMS-2 |