VS-ENQ030L120S數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ENQ030L120S
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 Trench 配置 Three Level Inverter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 61A 功率-最大 216W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.52V @ 15V, 30A 當前-集電極截止（最大值） 230µA 輸入電容（Cies）@ Vce 3.34nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 EMIPAK-1B 供應商設備包裝 EMIPAK-1B |
