VS-ETL015Y120H數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 Trench 配置 - 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 22A 功率-最大 89W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 3.03V @ 15V, 15A 當前-集電極截止(最大值) 75µA 輸入電容(Cies)@ Vce 1.07nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 EMIPAK-2B 供應商設備包裝 EMIPAK-2B |