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VS-ETL015Y120H數據表

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ETL015Y120H

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

Trench

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

功率-最大

89W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.03V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

75µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.07nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

EMIPAK-2B

供應商設備包裝

EMIPAK-2B