VS-GA100TS60SF數據表
VS-GA100TS60SF數據表
總頁數: 7
大小: 147.61 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了2零件號:
VS-GA100TS60SF, VS-GA100TS60SFPBF
|
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 PT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 220A 功率-最大 780W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.28V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce 16.25nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 INT-A-Pak 供應商設備包裝 INT-A-PAK |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 PT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 220A 功率-最大 780W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.28V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce 16.25nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 INT-A-Pak 供應商設備包裝 INT-A-PAK |
