VS-GB100TH120U數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 200A 功率-最大 1136W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 3.6V @ 15V, 100A 當前-集電極截止(最大值) 5mA 輸入電容(Cies)@ Vce 8.45nF @ 20V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Double INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝 Double INT-A-PAK |