VS-GP400TD60S數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GP400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 PT, Trench 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 758A 功率-最大 1563W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 1.52V @ 15V, 400A 當前-集電極截止(最大值) 200µA 輸入電容(Cies)@ Vce - 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Dual INT-A-PAK (3 + 8) 供應商設備包裝 Dual INT-A-PAK |