VS-GT100TP60N數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了1零件號:
VS-GT100TP60N
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 Trench 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 160A 功率-最大 417W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.1V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 5mA 輸入電容（Cies）@ Vce 7.71nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝 INT-A-PAK |
