VS-GT400TH120U數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GT400TH120U







制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 Trench 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 750A 功率-最大 2344W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.35V @ 15V, 400A 當前-集電極截止(最大值) 5mA 輸入電容(Cies)@ Vce 51.2nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Double INT-A-PAK (3 + 8) 供應商設備包裝 Double INT-A-PAK |