VS-GT50TP60N數據表
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 Trench 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 85A 功率-最大 208W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.1V @ 15V, 50A 當前-集電極截止(最大值) 1mA 輸入電容(Cies)@ Vce 3.03nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 INT-A-PAK (3 + 4) 供應商設備包裝 INT-A-PAK |