VS-MBR360TR數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 60V 電流-平均整流（Io） 3A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 730mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 600µA @ 60V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 C-16, Axial 供應商設備包裝 C-16 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 50V 電流-平均整流（Io） 3A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 730mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 600µA @ 50V 電容@ Vr，F 190pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 C-16, Axial 供應商設備包裝 C-16 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 60V 電流-平均整流（Io） 3A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 730mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 600µA @ 60V 電容@ Vr，F - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 C-16, Axial 供應商設備包裝 C-16 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 50V 電流-平均整流（Io） 3A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 730mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 600µA @ 50V 電容@ Vr，F 190pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 C-16, Axial 供應商設備包裝 C-16 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C |
