VT6Z2T2R數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN, PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 1mA, 6V 功率-最大 150mW 頻率-過渡 350MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-SMD 供應商設備包裝 VMT6 |
