W987D2HBJX7E數據表
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制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (8x13) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (8x13) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (8x13) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (8x9) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (8x9) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (8x9) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (8x13) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (8x13) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-VFBGA (8x13) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (8x9) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (8x9) |
制造商 Winbond Electronics 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - Mobile LPSDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -25°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (8x9) |
