XN0NE9200L數據表
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制造商 Panasonic Electronic Components 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 450mOhm @ 800mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 600mW (Ta) 工作溫度 125°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Mini5-G1 包裝/箱 SC-74A, SOT-753 |
