Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

ZXMHC3F381N8TC數據表

ZXMHC3F381N8TC數據表
總頁數: 11
大小: 732.75 KB
Diodes Incorporated
此數據表涵蓋了1零件號: ZXMHC3F381N8TC
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 1
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 2
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 3
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 4
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 5
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 6
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 7
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 8
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 9
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 10
ZXMHC3F381N8TC數據表 頁面 11
ZXMHC3F381N8TC

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.98A, 3.36A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 15V

功率-最大

870mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP