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CY7C1514KV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 72Mb (2M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1513KV18-300BZC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II
• 內存大小: 72Mb (4M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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CY7C25702KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II+
• 內存大小: 72Mb (4M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 550MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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MTFC128GAJAECE-AIT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 1T MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 1Tb (128G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 169-LFBGA
• 供應商設備包裝: 169-LFBGA (14x18)

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DS1265Y-70IND+

Maxim Integrated

內存

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• 制造商: Maxim Integrated
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 8Mb (1M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 70ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 36-EDIP

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DS1265W-100+

Maxim Integrated

內存

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

• 制造商: Maxim Integrated
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 8Mb (1M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 100ns
• 訪問時間: 100ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 36-EDIP

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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 1Tb (128G x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 333MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.5V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 132-VBGA (12x18)

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MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 128G PARALLEL 100TBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 128Gb (16G x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-TBGA
• 供應商設備包裝: 100-TBGA (12x18)

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7027S35G

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 512K PARALLEL 108PGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 512Kb (32K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 108-BPGA
• 供應商設備包裝: 108-PGA (30.48x30.48)

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MTFC128GAJAEDN-IT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 1T MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 1Tb (128G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 169-LFBGA
• 供應商設備包裝: 169-LFBGA (14x18)

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MTFC128GAPALNS-AAT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 1T MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 1Tb (128G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 153-TFBGA
• 供應商設備包裝: 153-TFBGA (11.5x13)

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CY7C1520KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 72Mb (2M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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7142LA55CB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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7142LA35CB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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7132LA55CB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64G 2133MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
• 內存大小: 64Gb (1G x 64)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: 2133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.1V
• 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 376-WFBGA
• 供應商設備包裝: 376-WFBGA (14x14)

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7132SA55CB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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7132SA35CB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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MT53E2G32D4DT-046 WT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM LPDDR4 FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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DS1250YP-70IND+

Maxim Integrated

內存

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

• 制造商: Maxim Integrated
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 70ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 34-PowerCap™ Module
• 供應商設備包裝: 34-PowerCap Module

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MTA9ASF1G72PZ-2G9E1

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 72G PARALLEL 1467MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR4
• 內存大小: 72Gb (1G x 72)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1467MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.2V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IS61LPS409618B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 72Mb (4M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-LQFP (14x20)

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IS61DDPB24M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• 內存大小: 72Mb (4M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)

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IS61DDPB22M36A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR IIP
• 內存大小: 72Mb (2M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.71V ~ 1.89V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-LFBGA (15x17)

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70V658S15BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 2Mb (64K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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7132SA100CB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL SB48

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 100ns
• 訪問時間: 100ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 48-DIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 48-SIDE BRAZED

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CY7C2262XV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 內存大小: 36Mb (2M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 450MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-LBGA
• 供應商設備包裝: 165-FBGA (13x15)

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MTFC128GAPALNS-IT

Micron Technology Inc.

內存

MODULE EMMC 128GB

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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DS1250YP-70+

Maxim Integrated

內存

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

• 制造商: Maxim Integrated
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 70ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 34-PowerCap™ Module
• 供應商設備包裝: 34-PowerCap Module

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MT44K64M18RB-093E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 1067MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8ns
• 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 168-TBGA
• 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)

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