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7164L55DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164L35DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164L25DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164L20DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164L100DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 100ns
• 訪問時間: 100ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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MT25QL02GCBB8E12-0AAT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q100
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NOR
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: SPI
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: 8ms, 2.8ms
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 24-TBGA
• 供應商設備包裝: 24-T-PBGA (6x8)

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CY7C1460KV33-200AXC

Cypress Semiconductor

內存

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: NoBL™
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 36Mb (1M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.2ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x20)

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70V05L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 64-LQFP
• 供應商設備包裝: 64-TQFP (14x14)

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7024L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (4K x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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7164S55DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S45DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164S25TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164S20TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164S100DB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 100ns
• 訪問時間: 100ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 供應商設備包裝: 28-CerDip

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7164L70TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 70ns
• 訪問時間: 70ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164L45TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164L35TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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7164L25TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-CDIP

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AS6C3216A-55BIN

Alliance Memory, Inc.

內存

IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: Alliance Memory, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM
• 內存大小: 32Mb (2M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 55ns
• 訪問時間: 55ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-TFBGA (8x10)

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IS45S16320F-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM
• 內存大小: 512Mb (32M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 143MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5.4ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 54-TFBGA
• 供應商設備包裝: 54-TFBGA (8x13)

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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
• 內存大小: 8Gb (256M x 32)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: 1.866GHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 0.6V, 1.1V
• 工作溫度: -40°C ~ 125°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 16G PARALLEL 100VBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 16Gb (2G x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 100MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-VBGA
• 供應商設備包裝: 100-VBGA (12x18)

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7005S35PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 64-LQFP
• 供應商設備包裝: 64-TQFP (14x14)

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AS7C316098A-10BINTR

Alliance Memory, Inc.

內存

IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

• 制造商: Alliance Memory, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 16Mb (1M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 10ns
• 訪問時間: 10ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-LFBGA
• 供應商設備包裝: 48-TFBGA (6x8)

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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
• 內存大小: 8Gb (256M x 32)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: 1.866GHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 0.6V, 1.1V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IS61VPS51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3ns
• 電壓-供電: 2.375V ~ 2.625V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-TFBGA (13x15)

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MT47H128M16RT-25E AAT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: SDRAM - DDR2
• 內存大小: 2Gb (128M x 16)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: 15ns
• 訪問時間: 400ps
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 84-TFBGA
• 供應商設備包裝: 84-FBGA (9x12.5)

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6116SA25TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 24-CDIP

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MTFC8GACAEDQ-AAT

Micron Technology Inc.

內存

IC FLASH 64G MMC

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 系列: e•MMC™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND
• 內存大小: 64Gb (8G x 8)
• 內存接口: MMC
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LBGA
• 供應商設備包裝: 100-LBGA (14x18)

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6116SA150TDB

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 150ns
• 訪問時間: 150ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 24-CDIP

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