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10ETF04

10ETF04

僅供參考

型號 10ETF04
PNEDA編號 10ETF04
描述 DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

10ETF04資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號10ETF04
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
10ETF04, 10ETF04數據表 (總頁數: 8, 大小: 219.07 KB)
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10ETF04規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)145ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AB

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

RA

供應商設備包裝

RA

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

HS2A M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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制造商

Micro Commercial Co

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

380mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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