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10ETF06

10ETF06

僅供參考

型號 10ETF06
PNEDA編號 10ETF06
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

10ETF06資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號10ETF06
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
10ETF06, 10ETF06數據表 (總頁數: 7, 大小: 191.46 KB)
PDF10ETF06數據表 封面
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10ETF06規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)145ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA

供應商設備包裝

DO-213AA

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

ITO-220AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, J-Lead

供應商設備包裝

SJP

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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