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1H2G-TP

1H2G-TP

僅供參考

型號 1H2G-TP
PNEDA編號 1H2G-TP
描述 DIODE HI EFF R-2
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1H2G-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1H2G-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1H2G-TP, 1H2G-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 718.18 KB)
PDF1H7G-TP數據表 封面
1H7G-TP數據表 頁面 2 1H7G-TP數據表 頁面 3

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1H2G-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱R-1, Axial
供應商設備包裝R-1
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-205AB, DO-9, Stud

供應商設備包裝

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8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

230µA @ 650V

電容@ Vr,F

260pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

SMC (DO-214AB)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.29V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1200V

電容@ Vr,F

10pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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