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1N1188

1N1188

僅供參考

型號 1N1188
PNEDA編號 1N1188
描述 DIODE GEN PURP 400V 35A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價
1 ---------- $85.9416
50 ---------- $81.9131
100 ---------- $77.8846
200 ---------- $73.8561
400 ---------- $70.4990
500 ---------- $67.1419
庫存 2,151
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N1188資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N1188
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N1188, 1N1188數據表 (總頁數: 3, 大小: 763.92 KB)
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1N1188規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 35A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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200V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

230mV @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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1000V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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200V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 110A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

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