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1N3087R

1N3087R

僅供參考

型號 1N3087R
PNEDA編號 1N3087R
描述 DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3087R資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3087R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N3087R, 1N3087R數據表 (總頁數: 3, 大小: 85.95 KB)
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1N3087R規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 150A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr17mA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Stud Mount
包裝/箱DO-205AC, DO-30, Stud
供應商設備包裝DO-205AC (DO-30)
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1nA @ 125V

電容@ Vr,F

-

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 7A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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