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1N3293AR

1N3293AR

僅供參考

型號 1N3293AR
PNEDA編號 1N3293AR
描述 DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3293AR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3293AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N3293AR, 1N3293AR數據表 (總頁數: 3, 大小: 671.84 KB)
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1N3293AR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)100A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr17mA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-205AA, DO-8, Stud
供應商設備包裝DO-205AA (DO-8)
工作溫度-結點-40°C ~ 200°C

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600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

70ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)

供應商設備包裝

DOP3I

工作溫度-結點

175°C (Max)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

28ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220F-2L

工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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