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1N3331B

1N3331B

僅供參考

型號 1N3331B
PNEDA編號 1N3331B
描述 DIODE ZENER 50V 50W DO5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3331B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3331B
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1N3331B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)50V
公差±5%
功率-最大50W
阻抗(最大值)(閽zt)5 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 38.8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 10A
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5

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4.7V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.55 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 6.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

SMBG4740AE3/TR13

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±5%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-齊納(額定)(Vz)

18V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

21 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 14V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

Mini MELF

SMBJ5365B/TR13

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

36V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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