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1N4001G R0G

1N4001G R0G

僅供參考

型號 1N4001G R0G
PNEDA編號 1N4001G-R0G
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4001G R0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4001G R0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N4001G R0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 280V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

電容@ Vr,F

310pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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制造商

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

12ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

17pF @ 25V, 1MHz

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