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1N4003GPHE3/73

1N4003GPHE3/73

僅供參考

型號 1N4003GPHE3/73
PNEDA編號 1N4003GPHE3-73
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4003GPHE3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4003GPHE3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4003GPHE3/73, 1N4003GPHE3/73數據表 (總頁數: 5, 大小: 79.42 KB)
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1N4003GPHE3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

9.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 9.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 300V

電容@ Vr,F

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