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1N4005B-G

1N4005B-G

僅供參考

型號 1N4005B-G
PNEDA編號 1N4005B-G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4005B-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4005B-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N4005B-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 3600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

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